二极管的正向电压降和反向电流均可忽略,试画出输出电压的波形

二极管正向压降相关：1、二极管材质/工艺：硅管压降>锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.压降虽然有不同,但是范围在(零点几~1点几)

把二极管的正极加负电压负极加正电压称为正向偏电压,正极加正电压负极加负电压叫反向偏电压

1.本来-30V~30V 正弦波 -30~-5V部分有波形 2.30V有波形再问：第二个应该是5~30V有波形吧，顺便问一下：第二个图是不是当D通的时候，Uo就是5V；断

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

二极管具有单向导电性,所以正向,可以认为是小电阻或者说是无电阻,反向是超大电阻.原理是因为二极管是有两种性质不同的半导体,拼结而成的,怎么说呢,一种半导体,含有很多允许自由电子通过的空穴,但自己却含有

工作电压:3.0-3.3V工作电流:20mA光强值:600-800mcd发光波段:568-572nm

整流二极管可以达到这样的要求,具体的型号靠自己搜咯……

导通截止

可以近似算出等效电阻,由DATASHEET可知二极管的典型正向压降及典型反向漏电流,则正向等效电阻约为：应用时的电流/正向压降；反向等效电阻约为：反向电压/漏电流.由计算可知,二极管正向电阻很小（几十

当加在二极管上的反向电压过大时,二极管会（击穿）损坏,流过二极管的正向电流过大时,二级管会（发热烧坏）.

硅二极管的正向导通电压为0.0.7V,所以,0.2V的电压不能使其导通,其工作点是处于其特性曲线上,要计算其直流电阻和交流电阻必须要借助其正向特性曲线,这里没有通用的特性曲线,即便有,按照通用特性曲线

代表当电流通过二极管时电压会下降0.6-0.8V,比如原来电压为10V通过二极管后下降为9.5V左右,正向是指二极管有方向性,正向导通,反向截止.锗与硅二极管的性能不同所以压降也不同

温度每升高1°C,正向压降减小2~2.5mV；温度每升高10°C,反向电流约增大一倍.

二极管是温度的敏感器件,温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高,其正向特性曲线左移,即正向压降减小；反向特性曲线下移,即反向电流增大.一般在室温附近,温度每升高1℃,其正向压降减小2～

理论上说是B管好,因为它的正反向电阻差别较大.不过判断二极管好坏还要看用途,以及其它指标如恢复时间等等.

锗管的压降是0.2V~0.3V,在大电流下至少是0.3V.但是由于除了压降以外的其他指标都逊于硅管,锗管现在很少见了,几乎可以算是被淘汰了.建议你用肖特基二极管,这种二极管额定电流下的正向导通压降低于

我所知道的是硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A.发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同.主要有三种颜色,具体压降参

二极管是由半导体材料制成的,带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上,在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动),

若无外界电场,扩散电流和漂移电流是动态平衡的.加上：正向偏置电压、或反向偏置电压　之后,即使它们电压是相同的,但是方向不同,它们对　空间电荷区宽窄,影响就是不同的.外加电源所提供的载流子,对扩散电流、

当二极管加正向电压时,只要所加电压大于PN结导通电压,二极管就导通；当二极管加反向电压时,如果所加电压小于PN结的击穿电压,二极管就截止,当所加电压达到PN结的击穿电压或略大一些,二极管发生雪崩式反向