可控硅保护板的电容

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/12 23:21:58
可控硅保护板的电容
请问电阻、电容、可控硅、IC、接线柱的仓储有效期及温度、环境、静电防护等要求是多少?

仓储有效期跟你的包装及存放环境都有关系,比如环境潮湿,有效期就短等,所以要看具体情况而定.看看这个文章吧!

谁知道可控硅主回路的保护电路RC和压敏电阻的参数?

压敏电阻的参数:电源220V一般选271K的380V的选471K的(471K的意思大概是470V正负20%击穿.)它们的直径越大,短路容量就越大.RC一般是几十欧的电阻串一个很小的电容0.00几微法,

并联补偿电容的六种保护方式

电流速切、过流保护,电容器过压、欠压保护.电容器过温、断相、三相不平衡保护.

可控硅,场效应管,三极管的区别?

场效应管VS三极管1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似.2.场效应管是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应

求一个简单的可控硅电路图

我也在弄可控硅的不知道你是用来做开关?站内PM我跟你加个Q一起交流下楼上的图是单项的

可控硅控制一盏灯的电路图里的电容是什么电容?有正负极之分吗?

高压无极电容,没有正负极之分,耐压>220*1.414

可控硅带感性负载,其阻容吸收的电阻电容参数怎样选择

电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF

2000A可控硅rc滤波器的计算

我们一直在设计设计制造该类产品,如:高温融冰逆变可控硅滤波等,留个电话我

可控硅和可控硅模块谁知道可控硅的工作原理?那家公司的可控硅模块质量好?

可控硅模块质量好的公司有北京瑞田达技贸有限责任公司.可控硅工作原理:可控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流,还可

可控硅BTA208X-1000B,电压1000V,电流8A,的阻容吸收的电阻和电容如何选取?

5W至10W/50欧0.22μF,2000VAC用在380V系统上的可控硅阻尼吸收再问:我是用在交流220V永磁低速同步电机上的,电机的功率只有45W,电机上的电容为3.2uF/500V!电阻的功率应

吊扇灯 电容调速器 可控硅

这是卖家忽悠买家的手法,想你在他店买多一点东西赚多一点钱,那个破调速器哪里值35元,一个破电容一个开关而已,买个西门子的可控硅电子调速器,40元左右,又美观又高档,又实用,西门子的质量,不用多说了.

电池保护板上的几块电容和电阻起到什么作用 每个说明一下

电阻一般都是起到限流作用的,用以配置合理的充、放电电流,电容主要用于滤波,不同的电路不同的,我说的是一般通用设计方式.

10KW电磁吸盘整流电源交流直流可控硅过电压保护,压敏电阻应如何选择?具体的型号规格参数应如何选择?

压敏电阻的压敏电压(min(U1mA))、通流容量是电路设计时应重点考虑的.在直流回路中,应当有:min(U1mA)≥(1.8~2)Udc,式中Udc为回路中的直流额定工作电压.在交流回路中,应当有:

电容柜测量保护控制回路电流的来源

一般来说,低压电容补偿柜由柜壳、母线、断路器、隔离开关,热继电器、接触器、避雷器、电容器、电抗器、一、二次导线、端子排、功率因数自动补偿控制装置、盘面仪表等组成.负荷中非线性成份(谐波)的存在,会使电

请教可控硅阻容保护 电阻 电容 要怎么计算?

电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5μF选用2.5

我想用6V的直流电转换成200V交流电给电容充电,然后用可控硅放电作用于一个线圈,应该用那些电路.

你可以到我空间查看相册雪景部分内部有个闪光灯的图纸,那个可以升压到300V左右.再问:我试过,不对,我想用低压控制电路

可控硅的导通角是什么概念?

一个交流电的周期为360度,正半周为180度,负半周180度.可控硅又称可控整流元件,交流电通过整流元件时,元件让正180度电通过,阻止了负180度的通过,即所谓半波整流.交流电通过可控硅时,并不是让

如何计算可控硅的阻容吸收,可控硅是600V 16A的,现在求电容电阻取多大的值?

如果整流侧采用500A的晶闸管可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5F选用2.5F,1kv的电容器电阻的选择:R=((2-4)×535,

电阻和电容串联与可控硅模块的并联是什么作用

吸收回路,保护可控硅不被浪涌电流或换向过电压击穿