晶体管饱和管压降

这是因为当Re增大时,在其上产生了更大的压降,如果Ie电流基本不变.那么就会使得晶体管的Uceq减小,因为Uceq=Vcc-RcIc-ReIe.注意Ic仅受控于Ib,如果Re的增大使得Ib减小不多,那

在合理设置静态工作点和输入为交流小信号的前提下,晶体管可等效为一个线性双端口电路.用电流、电压的交流分量来表示.即：其中Ib、Ube为晶体管的输入变量,面Ic、Uce为输出变量.方程中的四个系数hie

用电压表测基极与射极间的电压UBE.若此电压小于0.6V,为截止状态；若此电压等于或略大于0.7V,再测CE间电压：若CE电压大于1V,为放大状态；若CE电压小于1V,为饱和状态.

最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位,如果集电极电位约等于电源电压,就是截至的,如果约等于饱和压降Uces,就是饱和的,介于这两个电压之间的就是线性放大区,约接近这两个电压之间的中心位置,线性就

书上说的是对的呀,你说的uce小于0.7只是一个范围,范围比较大,它只是相对发射结导通压降而言的,只有这样两结才能同时正偏,实际上你测试的话就在书上说的范围内

晶体管的饱和压降也就是两个PN结正偏时、C-E之间的电压,即等于两个PN结正向电压的差,因此,对于理想晶体管,饱和压降与PN结的导通压降,严格来说,是有一定的关系.但是,实际上晶体管饱和压降与PN结的

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5

a、饱和,发射结、集电结均正偏,饱和,b、截止,发射结、集电结均反偏,截止,c、损坏,发射结电压＞0.7V,损坏d、放大.发射结正偏、集电结反偏,放大.若有帮助,请釆纳,谢谢!

问什么呢?现在看此电路不能正常放大,做整形或波形变换还可以.再问：试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？再答：当uI＝0V时uO＝-5v。当uI＝－5V时uO＝-0.1V.因为T饱和了。

1）Re=Ue/Ic=2k；Rc=(E-Uce-Ue)/Ic=2k;2）基极偏置电路总电流,取基极电流的10倍；则：Ib=Ic/50;(Rb1+Rb2)*Ib*10=ERb2*Ib*10=Ue+0.7

三极管的工作电压Vec=Vcc-VRc-VRe,即：三极管的工作电压等于电源电压减去集电极电阻再减去发射极电阻上的压降.如果电阻Re过大,则压降VRe也会较大,因此可能导致Vec接近0,从而使三极管进

反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能越好.

a,NPN基极相对射极为负(反偏-0.3)应截止,如电源有正电源则该管己坏.b,NPN基极相对射极为正(正偏0.3)应导通,集射电压为0.1(近似0)饱和.c,PNP基极相对射极为负(正偏-0.7)应

2SD1118  80V10A50WHFE=300vce(sat)o.5v(在2A测试时候) 还有2SC45542SC4064 2SA1567

NPN:c,b,e截止：VbVe,VcVB>Ve电流方向：b->e,c->ePNP管反过来即可.

晶体管工作在放大区时,发射结正偏置、集电结反偏置；晶体管工作在截止区时,发射结反偏置、零电压或者偏置电压不足以使发射结导通、集电结反偏置；晶体管工作在饱和区时,发射结正偏置、集电结正偏置.

简单的办法就是判断他们的电位变化的情况.以下以NPN硅管为例,PNP管正好相反.（1）截止,UbeUbe,Ubc0.7V,Uce

Ic=(15-0.3)/3000=0.0049(A)Ib=0.0049/40=0.0001225(A)Irb=(9+0.7)/20000=0.000485(A)Irx=0.0001225+0.0004

理论不知怎么算,实际使用中最少是0.3V.

当Ic增大到使Uce很小时,也就是Uc接近于Ue时,此时三极管已经失去了放大能力,Ic已经不能随Ib的增加而增加,所以称为饱和区!此时Uce已经很小了,即处于你下图中虚线左边的位置了!你上面的电路中,