测得三极管的Ube=0.7则该管的材料和管型

标注的电压,一般是对地（参考点）电压.UCEUBE电压就UC-UE;UB-UE

Ui=0.3  Ube=0.7v,Ui<Ube,截止,U0=Vcc=5v  2.Ui=1     Ube

Ube=Ub-UeUbc=Ub-UcPNPUbc=-0.2-(-5)=4.8VUbe=-0.2-0=-0.2VNPNUbc=2-0=2VUbe=2-6=-4V(实际电路中,这个电压是不可能的,原因很简

计算条件不足.故假设U1=U2=0V,则ICQ=((UEE+VBE)/RE)/2(取决对值),UCEQ=UBE+UCC-ICQ*RC.ICQ=((-15+0.7)/10)/2=0.715mAUCEQ=

温度上升会引起放大倍数β增大,故Ib不变时Ic减小.而Ube会随着环境温度的变化而变化,平常说的三极管的Ube为0.0.7V左右,这是室温在25°C时的测试值.经推导,三极管发射结正向压降的变化量是每

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

测三级管要用二极管档测压降.测电阻无意义,数字表的电阻档两表笔电压只有0.2至0.6v左右达不到PE结的正向导通电压,所以用电阻档测可以都会显示无穷大.另外指针表可以用电阻档测.

饱和了.要调整过来,可以减小输入信号,或者调整静态工作点,降低Q点.如果用的是电阻分压稳定静态工作点的话,可以调整电阻,使分压后在B点的电压下降减小静态输入电流.

根据你提供的参数可以判断出这是一只硅型三极管,如果用万用表的正极连接三极管的基极,那么根据数据分析是硅NPN三极管.如果用万用表的负极连接三极管的基极,那么应该是一只硅PNP三极管.

Ube=0.7V不是硅三极管饱和时的特征,其实硅三极管只要工作,无论饱和与否,Ube总是接近于0.7V.这个0.7V与圆周率π=3.14一样,基本上是一个常数.如果从内部原理解释,那就是pn结P区N区

温度对三极管参数的影响几乎所有的三极管参数都与温度有关,因此不容忽视.温度对下列的三个参数影响最大.（1）对β的影响：三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.1％,其结果是在相同的

1、Ic=（10-0.7）/3=3.1mA,Au=-60*1500/（300+61*26/3.1）=111,rbe=811Ω,Ro=1.5KΩ.2、Ub=4V,Ic=3.4/2=1.7mA,rbe=3

在放大区时,Ube是不变的,恒定约为0.7V,三极管为流控型器件,ib变化不是三极管本身的原因,是外加电路引起的,常见的三极管的ib为μA级……

根据题中信息,可得：IB=(Vcc-UBE)/Rb=11.3V/377kΩ≈0.03mA,则IC=50*IB=1.5mA,得UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-1.5*6=3V＞饱和电压,所以管子工

Ib=4.3/5ok=0.086maIC=0.086*50=4.3ma2.5*4.3=10.75管子深度饱和

①因为Ic=2mA,β=100,所以Ib=2mA/100=20uA,因为基极电位为0.7V,所以URb=9V-0.7V=8.3V,所以Rb=8.3V/20uA=415k.②集电极电位为4.5V,则Rc

温度升高,β、ICBO增加,Ube减小

三极管V1e=6V;V1b=6.7V=U0(8/12)V.U0=10.05V.这为理论的与实物略有岀入,需在R1.R2调整而得.R2太大稳定性差.

导通状态UBE0.72说明有正向电压UCE0.3说明基射极内阻小为导通

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大