硫酸掺杂半导体-搜答案-搜狗做题网

不可以用玻尔兹曼分布描述的话就可以认为是重掺杂了再问：有些不懂哎不能有个大致的浓度范围吗再答：刘恩科《半导体物理》书里应有详细的介绍，有这时间看看书就都知道了

按照常规,一般是按百万分之一数量级的比例掺入.这样对半导体的性能会产生很大影响.

答：1)对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；2)对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；3)电离杂质

这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主

掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.

N型,P型希望采纳

详见刘恩科《半导体物理》第四章有很详细的介绍!

问题一首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体,带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴.所以正电荷浓度为：ND+P带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电

很多种,扩散啊,离子注入啊,你去找找半导体工艺的书看吧,很详细的

半导体的掺杂,以硅为例.一般掺入三价的原子（如硼）使之成为P型半导体,或掺入五价的原子（如磷）使之成为N型半导体.从导电原理上讲,分别掺入低于三价的原子,或掺入高于五价的原子,也是可行的.为何不如此的

1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI

就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.

半导体的迁移率随温度的变化,主要决定于两种因素：一是晶格振动散射,二是电离杂质散射.晶格振动散射将使迁移率随着温度的升高而下降（T的负二分之三关系）；但电离杂质散射将使迁移率随着温度的升高而增大（T的

什么是掺杂半导体?相对而言,本征半导体中载流子数目极少,导电能力仍然很低.但如果在其中掺入微量的杂质,所形成的杂质半导体的导电性能将大大增强.由于掺入的杂质不同,杂质半导体可以分为N型和P型两大类.N

本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷

导电性将会有质的区别,掺杂半导体将会出现“空穴-电子”型导电特性,本征半导体只会激发出少量的自由电子(空穴)来导电.估计又是一个刚学模电的有点不懂了.模拟电子技术基础(高教社),学完这本还要学数字电子

五族的氮、磷掺入硅中后,因为它们的价电子比硅的多一个,这个多出的电子即容易释放出来而成为导带的电子,所以它们是N型杂质.但是,氮元素掺入到氧化锌中后,将取代六族的氧（不会取代二族的Zn）,这就缺少了一

一般半导体导电性都会随温度升高而显著增强,这是因为提高温度,会有多得多的价带电子获得能量而到达导带.

晶格改变

纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的,但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少,而且容易受到外间因素如温度等的影响.掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子,例如若是加入