NPN硅管Uce

对于图a；∵发射极电流=ic+ib=ib*β+ib=ib*(1+β)；∴ib*Rb+0.7+ib*(1+β)*Re=12(v)∴ib=（12-0.7）/[Rc+（1+50）*Re]=（12-0.7）/

你先量一下电压,有极性电容,正极接电压高的一端,负极接电压低的一端即可.

由于UBE=0.7v,且UC>UB>UE,是硅管,直接接在分别接在晶体管的b,e,c极上,不知道答案满不

你看错了吧,当IB不变时UCE增大IC增大

1.NPN管(1)三极管损坏.发射结断路,因为NPN管正向导通电压0.7V左右.(2)三极管是饱和状态.因为发射结、集电结电压是正偏置.(3)三极管是放大状态.因为发射结正偏置,集电结负偏置.2.PN

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA(电压单位是：伏,电阻单位是：千欧,所以电流单位：毫安）Ic=βIb=100*0.1=10mAVc=5-IcRc=5-10*2=-15V,实际在应用中,其电压在0

判定下面三极管的工作状态,均为硅管NPN管：VB=3.7VVC=3.3VVE=3V集电结、发射结均正偏,管子处饱和状态；NPN管：VB=0.7VVC=5VVE=OV集电结反偏、发射结正偏,管子放大状态

Ib=(10v-0.7v)/Rb=9.3/200K=0.0465mAIc=βIb=50*0.0465=2.325mAUce=10v-Ic*Rc=10v-6.975v=3.025vUce>Ube=0.7

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

这是一个接地点的问题,从图看出基极是接地的,而发射极电阻是接-6伏的电压,这样基极对于这个-6伏来说相当于加了一个很高的偏压了（这时又可将-6伏当作地）应当为6伏,这么高的偏压,说明这个管子是工作在饱

集电极电压大于发射极电压就可以判断为NPN管,PNP管是发射极电压大于集电极电压的.NPN管基极比发射极电压高于0.7V为饱和导通状态,低于0.5V为截止状态,所以基极电压比发射极电压高0.6V伏就可

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

红外二极管在没有光照时阻值较大,与4.7K电阻构成三极管基极偏置,分压的结果是三极管基极得不到能够使其导通的电压,47K电阻是集电极电阻其电压降几乎没有,所以,输出得到与5V电压相当的高电平.当红外管

NPN三极管,有两个PN结,一个是集电极到基极,另一个是基极到发射极.对于二极管来说,PN结的电流方向是从P流向N；对于三极管来说基极到发射极也是这样,而集电极到基极就会不同.电流从基极流向发射极后,

1、无论是NPN型,还是PNP型的三极管,不同的只是N、P两种材料排列方式不同,两者的功能是一样的,都具有电流放大的作用.2、因材料排列方式不同,PNP型三极管的电源供电方式与NPN型的正相反.PNP

.PNP,锗管UA为集电极电压,UB为基极电压,UC为发射极电压,此三极管为pnp形管；UB与UC相差0.2V--锗管;一般pnp三级管发射极接电源正极,集电极接电源负端,基极偏压对集电极也是负端,也

2个PN结的方向不一致.PNP是共阴极,即两个PN结的N结相连做为基极,另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管.NPN则相反.NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得

NPN输出,是用NPN的三极管做集电极开路输出,集电极经继电器线圈接+24V.PNP输出,是用PNP的三极管做集电极开路输出,集电极经继电器线圈接-24V.注：以上的24V,只是举例,具体数值按产品规

一、判断三极管基极对于NPN型三极管,用黑表笔接某一个电极,红表笔分别接另外两个电极,若测量结果阻值都较小,交换表笔后测量结果阻值都较大,则可断定第一次测量中黑表笔所接电极为基极；如果测量结果阻值一大

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为