npn管为什么集电极电位最高

NPN三极管和电阻共同构成一个反相器,信号为高的时候,三极管导通,因为发射极接地,集电极被拉低,单片机检测到低电平；信号为低的时候,三极管不导通,单片机检测到的是高电平（单片机输入的时候是弱上拉）.再

这个简单,基极电压和发射极电压之间电位差是0.7v左右的是硅管,0.3v为锗管NPN管子,集电极电压>基极电压>发射极电压PNP管子,集电极电压综上所述,处于中间值的就是基极,而与它符合0.7v或0.

截止,当然是单片机输出为0呗,这样B极就没电流了.饱和的话,Uce

三极管电路中,反偏,正偏是指集电结和发射结.三极管电路中,IB、IC和IE,都是、并且永远是从上向下流动,无论处于什么状态.IB：VCC→Rb→b→e→地；IC：VCC→Rc→c→e→地；IE=IB+

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

三极管放大状态：Uc>>Ub>Ue,Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V）NPN管Uc<<Ub<Ue,Ub-Ue=-0.7V(锗管-0.3V),PNP管第二个电压看不

1、可变电阻区2、截止区3、数据有问题Vb-Vc=4-2=2V,对于NPN管是不可能的（除非烧断集电结）

米有图片,不知道U1,U2,U3分别代表的是Ub,Uc,Ue?知道对应的Ub,Uc和Ue后,可以用二楼的方法去判断就行!

(1)U1=3.4v,U2=2.7v,U3=12vNPN硅b,e,c(2)U1=3v,U2=3.3v,U3=11vNPN锗e,b,c(3)U1=-11v,U2=-6v,U3=-6.7vPNP硅c,e,

当晶体管的发射极在未加电阻时,基极与地的电位也就是发射结上的电压（约为0.8V）；当加有电阻时,在电流相同的情况下,则基极与地的电位是发射结电压（仍然约为0.8V）再加上电阻上的电压,所以基极电位被抬

教你一招,很好用的.画一条线,把你的3个电压值标上：-5.5-5.2-1----------------------------------------------从图中可以看出三个电极的电压相互关系

因为NPN的三极管,集电极是接正电,（发射极处在负端）,按照电学的规定,电流是正极流向负极（和电子流向相反）,所以就有你说的“集电极电流的方向是流向集电极,”,这是规定,就这么简单.你再看看,在研究P

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件——集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为

有几种情况需要说明NPN三极管符号如下：NPN硅管：当发射极电位比基极高0.3到0.7伏之间时,为放大状态；当发射极电位比基极高0.7伏及以上时,为饱和导通状态.NPN锗管：当发射极电位比基极高0.1

高电位到低电位   就像水向低处流  不会倒流的  顶多会截止了

是基极和发射极正偏,不过也不用0.7V,硅管0.5几,锗管大概0.2多久导通了,前提是集电极和发射极也是正偏.基极电流是流向发射极或者从发射极流出.

NPN三极管,有两个PN结,一个是集电极到基极,另一个是基极到发射极.对于二极管来说,PN结的电流方向是从P流向N；对于三极管来说基极到发射极也是这样,而集电极到基极就会不同.电流从基极流向发射极后,

三极管NPN发射结正偏集电结反偏时,集电极是不是高电位?回答肯定是高电位1发射结反偏,集电结反偏：管子处于截止状态,集电极电位等于电源电压；2发射结正偏,集电结反偏：当Vbe0.5v,管子开始导通,进

这要看是集电极输出还是发射极输出.输出脚的那个电阻较大.

选B,这道题就是考三极管放大的外部条件--集电极反偏,发射极正偏.所以集电极的电压应该是5V,基极电压应该为1.3V,发射极1V.因为基极与发射极之间还有一个PN结,压降应该为0.3V,为锗管.硅管为