搜狗做题网P型半导体掺杂的是( )元素
来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/07 20:00:35
答：1)对掺杂的Si、Ge,主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射；2)对III-V族化合物半导体,如GaAS,光学波散射也很重要,即主要散射机构是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；3)电离杂质
半导体材料一般是锗或者硅,他们最外层电子是4,一次是四价元素,这些硅原子或者锗原子之间形成共价键,而加入三价元素后,形成共价键时由于要形成四个共价键,而三价元素外只有三个电子,故形成一个空位,其他自由
这是因为在耗尽层近似及杂质完全电离的性狂下,空间电荷由电离施主和电离受主组成.势垒区靠近n区一侧的电荷密度完全由施主浓度所决定,靠近p区一侧的电荷密度完全由受主浓度所决定.对突变结来说,n区有均匀施主
掺杂是针对杂志半导体而言,就是在本征半导体中参入3价或5价元素,使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质.重掺杂就是参入的杂志浓度比较大.
选取3价元素,例如：硼,铝,镓,铟；
N型,P型希望采纳
问题一首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体,带正电荷的有：1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴.所以正电荷浓度为：ND+P带负电荷的有：1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电
都不是.掺杂之后才能区分N型或P型半导体.在纯硅基础上,掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体.掺杂3价元素比如硼、铝、铟的称为P型半导体
单晶硅（四价）时,没个硅原子和其周围的硅原子组成8电子稳定结构.当三、五族元素掺入到单晶硅后,不管是替位（掺杂原子代替某个硅原子）还是间隙（较小的杂质原子可掺入到硅原子间隙之中）,他们的特点都是离8电
1）首先要选择什么杂质-如果要掺杂成P型半导体可以选择B和BF和In.-B是最常用的-In和BF的质量比较大,适合于浅掺杂-BF中的F可能对HCI或者NBTI
就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强.以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂.
你好.PN结形成的空间电荷区是在扩散运动过程中形成,由于两边空穴和电子复合,形成中间PN结没有了载流子,只剩下PN自身的固定正负离子,也就形成了空间电荷区,内电场.内电场在扩散中越来越大,大到一定程度
假设半导体是硅N型半导体中掺杂的是Ⅵ（5）族元素比如P磷当磷占据一个硅原子的位置时,磷元素外围的5个电子4个形成共价键,还有一个形成自由电子所以N型半导体导电的是电子相反,P型中掺杂3族元素如B硼你可
p主要加B硼n主要加p磷再答：再答：���������
本征半导体的导电能力很低,因为他们只含有很少的热运动产生的载流子.某种杂质的添加能极大的增加载流子的数目,所以掺杂质的半导体导电能力好.例如掺有磷的半导体就是一种掺杂半导体.假设硅晶体中已掺入少量的磷
所谓的纯化学反应和物理反应的概念,只是停留在高中阶段,高中时我们可以很明确地说这是物理反应,那是化学反应,但是现在好多东西却不能区分了,现在衍生出了物理化学学科,有兴趣可以看一下啊.
在掺在浓度较低时,电子迁移率随温度的升高迅速减小,此时晶格散射其主要作用；当杂质浓度增加,迁移率下降趋势就不太显著,说明杂质散射机构的影响在增加；当掺杂浓度很高时候,在低温范围,随温度的升高,电子迁移
五族的氮、磷掺入硅中后,因为它们的价电子比硅的多一个,这个多出的电子即容易释放出来而成为导带的电子,所以它们是N型杂质.但是,氮元素掺入到氧化锌中后,将取代六族的氧（不会取代二族的Zn）,这就缺少了一
在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）