霍尔元件为什么用半导体材料制造-搜答案-搜狗做题网

正反通励磁电流

半导体的Hall效应要比金属的强得多；薄片的Hall效应得到增强.参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

不可以

为何霍尔元件都比较薄而且长宽比一般为21答制作霍尔元件应采用半导体材料.如果磁场与薄片法线有夹角那么UH=kHIBcos,霍尔元件越薄即d越小kH就越大所以一般霍尔元件都很薄.又因为实际测量中UH=(

首先考虑磁屏蔽,用软磁材料做成屏蔽罩,把实验装置罩起来,这样观测有些不方便.还可以考虑,先测出未通电的螺线管内的地球磁场的强度和方向,再通电螺线管,测出合磁场的强度和方向,最后利用磁感应强度的矢量合成

从应用角度来说,选型时可选择灵敏度高的霍尔,或者使用磁性强的磁铁,缩短感应距离等

量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；那么首先我们考虑R-B

设：d为薄片厚度,k为霍尔系数,a为极板长度,Bqv=Uq/aI=nqdavU=BI/nqd=kBI/d所以,k=1/nq

确实霍尔元件都用半导体材料制成而且一般都为n型半导体载流子为导带电子,与金属材料的导电粒子为自由电子,似乎一样.但是你知道,金属在外电场作用下,抵抗电场的只是其表面聚集大量的电子,从而形成反向电场,与

线性霍尔是用来判断在一定范围内磁性SN极或大小的的元器件.很小的话您说的应该是23封装的：印章面向自己,两只引脚向下,从右到右分别为：电源十,电源一（上面脚）,信号.OH3503,有23和92封装两种

UH=RHIB/dRH=1/nq（金属）式中RH——霍尔系数：在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH=RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔

首先要学会根据电流和磁场判断电场力的方向,电场力的方向即半导体中载流子的受力方向（即判断出n型半导体的电子聚集到哪里,或p型半导体的空穴聚集到哪里）.对这两种半导体来说,同样的电流和磁场,电场力方向是

300÷500000000×30=0.000018

1、可以大大提高它的导电性2、可以产生N和P两种不同类型的半导体,然后构成PN结,从而可以构成各种晶体管MOS管等等其实第二条尤其重要.

用左手定则,磁场方向穿过手心,四指方向为电流方向,拇指为电场方向,拇指指向负电荷一侧,此时为P型半导体,空穴型.若方向正好相反,则为N型半导体,也是电子型.

霍尔元件的原理

解题思路：霍尔元件是应用霍尔效应的原件。有不明白，请添加讨论。解题过程：解：霍尔元件是应用霍尔效应的原件。所谓霍尔效应，是指当磁场作用于载流金属导体时，产生横向电势差的物理现象。金属的霍尔效应是187

制作霍尔元件应采用半导体材料.如果磁场与薄片法线有a夹角,那么UH=kHIBcosa,霍尔元件越薄（即d越小）,kH就越大,所以一般霍尔元件都很薄.又因为实际测量中UH=(kHIB/d)×f(l/b)

在二氧化硅上蚀刻出电路后会用经过电场加速的离子进行掺杂掺杂后的区域导电性会有变化之后镀铜以便形成电路之所以用硅的原因就是杂离子掺杂后其导电性质的改变使掺杂的部分可以变为元件

能不能测量,你用几个参数就可以判断：1,霍尔器件的感应电压是否与磁场强度呈现线性或可以用一个曲线描述,可重复的规律；2,霍尔器件的响应频率与被测交变磁场的频率是否一致,就是霍尔器件能否跟上变化；3,霍

霍尔效应要通过测两板间的电势差!如果不垂直的话,正负电荷不能完全聚于两板,所以两板间的电势差偏小,导致霍尔电压偏小!