霍尔元件为什么用半导体而不用金属材料

实验室用一氧化碳炼铁,原因：1、用碳来冶炼铁,生产出的铁含碳杂质较多,这样的铁比较脆,延展性不好,而用一氧化碳来冶炼铁,铁单质的纯度高,而且各方面的性能好；2、CO为在容器中,由于扩散作用,二者接触更

翻译过来就是如果昨天我有时间我就买了字典了~言下之意就是没买用的虚拟语气要是用because的话就是买过了前面的buy应该用过去式brought回答完毕~

earlie

金属的霍尔效应比起半导体是有差距的,灵敏度不及半导体,所以不用金属.

你自己也说了正负电荷受洛仑兹力方向相同,但产生的电势高低就相反了.所以,半导体中自由移动的电荷类型不同霍尔电势差方向就相反了.N型半导体的载流子是电子,P型半导体的载流子是空穴（等效于是正电荷定向移动

为何霍尔元件都比较薄而且长宽比一般为21答制作霍尔元件应采用半导体材料.如果磁场与薄片法线有夹角那么UH=kHIBcos,霍尔元件越薄即d越小kH就越大所以一般霍尔元件都很薄.又因为实际测量中UH=(

将电路接好后,（有的是开漏极的,需加上拉电阻）无磁性物体接近的情况下,去量它的默认输出状态.如果输出高的话就是N型的,输出低的话就是P型的.或者直接看datasheet,里面都有描述,框图一般都会画出

从应用角度来说,选型时可选择灵敏度高的霍尔,或者使用磁性强的磁铁,缩短感应距离等

电流电压不满足线性关系,称之为非线性元件.半导体电流、电压呈e指数的变化关系.气态导体比较复杂.不可以用u/i计算,只能用求导数的方法计算.

设：d为薄片厚度,k为霍尔系数,a为极板长度,Bqv=Uq/aI=nqdavU=BI/nqd=kBI/d所以,k=1/nq

确实霍尔元件都用半导体材料制成而且一般都为n型半导体载流子为导带电子,与金属材料的导电粒子为自由电子,似乎一样.但是你知道,金属在外电场作用下,抵抗电场的只是其表面聚集大量的电子,从而形成反向电场,与

霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段.还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放

这个跟功率无关,再大的功率半导体制冷片都能做到,主要是能耗比太低,普通冰箱、空调能耗比达到2.几—3.4,可半导体制冷片最多只能达到0.55,所以说同样制冷量用半导体制冷片要多消耗五六倍的电.

利用霍尔效应可以测量半导体到底是n,p型的把载有电流的半导体放在垂直于电流方向的磁场中时,半导体会产生横向磁场的效应.具体仪器很多,你可以查一下

解题思路：霍尔元件是应用霍尔效应的原件。有不明白，请添加讨论。解题过程：解：霍尔元件是应用霍尔效应的原件。所谓霍尔效应，是指当磁场作用于载流金属导体时，产生横向电势差的物理现象。金属的霍尔效应是187

因为半导体（主要是硅,地球上硅的储量很多,便宜）可以进过不同步骤和层次的加工,形成导体和绝缘体从而实现功率放大或转换的功能,二极管3级管等电子元件都是这个道理

光生伏特效应简称为光伏效应,指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象.太阳能电池是一种近年发展起来的新型的电池.太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变

制作霍尔元件应采用半导体材料.如果磁场与薄片法线有a夹角,那么UH=kHIBcosa,霍尔元件越薄（即d越小）,kH就越大,所以一般霍尔元件都很薄.又因为实际测量中UH=(kHIB/d)×f(l/b)

能不能测量,你用几个参数就可以判断：1,霍尔器件的感应电压是否与磁场强度呈现线性或可以用一个曲线描述,可重复的规律；2,霍尔器件的响应频率与被测交变磁场的频率是否一致,就是霍尔器件能否跟上变化；3,霍

霍尔效应要通过测两板间的电势差!如果不垂直的话,正负电荷不能完全聚于两板,所以两板间的电势差偏小,导致霍尔电压偏小!