关于三极管的饱和区对于NPN型三极管的饱和区,我的理解是:当集电极和发射极间的电源Vcc一定,若首先发射极正偏,集电极反
来源:学生作业帮 编辑:搜狗做题网作业帮 分类:综合作业 时间:2024/06/25 11:40:13
关于三极管的饱和区
对于NPN型三极管的饱和区,我的理解是:
当集电极和发射极间的电源Vcc一定,若首先发射极正偏,集电极反偏,即属于放大区时,随着基极电流Ib增加,Ic呈Ib的β倍增加,随着Ic的增加,在输出电路中,电阻Rc上的电压降越来越大,导致Vce越来越小,而Vce越来越小会导致集电极的电位比基极电位小,集电极的正偏,从而导致三极管饱和,此时随着Ib增大,Ic不再增加,且维持不变,其大小Ic
对于NPN型三极管的饱和区,我的理解是:
当集电极和发射极间的电源Vcc一定,若首先发射极正偏,集电极反偏,即属于放大区时,随着基极电流Ib增加,Ic呈Ib的β倍增加,随着Ic的增加,在输出电路中,电阻Rc上的电压降越来越大,导致Vce越来越小,而Vce越来越小会导致集电极的电位比基极电位小,集电极的正偏,从而导致三极管饱和,此时随着Ib增大,Ic不再增加,且维持不变,其大小Ic
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是的,三极管并不是无限制放大的.如果基极电流过大,三极管饱和后波形就失真了.
但是可以在一定的条件下利用三极管的饱和与截止现象制造出开关电源和数字脉冲功放.这种情况下三极管处于放大区的时间极端,发热量很低,电源利用率较高.
但是可以在一定的条件下利用三极管的饱和与截止现象制造出开关电源和数字脉冲功放.这种情况下三极管处于放大区的时间极端,发热量很低,电源利用率较高.
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