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SiO2和Si3N4绝缘性能比较

来源：学生作业帮 编辑：搜狗做题网作业帮 分类：物理作业 时间：2024/05/14 10:12:11
SiO2和Si3N4绝缘性能比较
在纳米量级下,同厚度(如30nm)的SiO2和Si3N4绝缘性能哪个更好?为什么?请提供必要的数据支持!
一楼同志能不能补充解释下,我们在试验的时候发现0.03um的Si3N4结构会出现漏电流情况,变更为0.03um的SiO2后该现象消失!
SiO2和Si3N4绝缘性能比较
禁带宽度SiO2:8.9eV,Si3N4:5.1eV.
介电常数SiO2:3.9,Si3N4:7.0
传统工艺一般采用SiO2做阻挡层,但当其厚度减小时,漏电流增大,并出现杂质扩散现象,影响器件性能.
在纳米尺寸,由于Si3N4的介电常数比SiO2高,实验数据中Si3N4作绝缘层时漏电流比SiO2小几个数量级,但Si3N4具有难以克服的硬度和脆性.建议试用SiNxOy.
这可能是与薄膜质量有关,生长Si3N4薄膜的时候,生长条件对薄膜质量影响很大,可以调整工艺试试.如果实验数据SiO2绝缘性能好,那也可以选用SiO2,一切应以实验数据为准.
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