有一面积很大的半导体薄片,厚度为w,以稳定光源均匀照射两面,设光只在表面层内产生电子空穴对,在消注入条件下,ΔP(0)=

来源：学生作业帮编辑：搜狗做题网作业帮分类：综合作业时间：2024/05/01 19:01:06

有一面积很大的半导体薄片,厚度为w,以稳定光源均匀照射两面,设光只在表面层内产生电子空穴对,在消注入条件下,ΔP(0)= P1 ; ΔP(W)= P2 .问：
片内非平衡载流子分布仅与时间有关,还是仅与空间位置有关?或与两者都有关?试确定片内非平衡载流子的分布

非平衡载流子分布,由于没有外加电场,因此只取决于扩散过程,达到稳态分布后与时间无关.
设载流子扩散流密度J=-D*d△p(x)/dx,D为扩散系数,则单位时间单位体积内载流子数为-dJ/dx=D*d^2△p(x)/dx^2,稳态分布时,单位时间单位体积由于复合而消失的载流子为△p(x)/τ,联立上面两式得扩散稳态方程：
D*d^2△p(x)/dx^2=△p(x)/τ,其解为：
△p(x)=Aexp(-x/L)+Bexp(x/L),L=sqrt(Dτ),是扩散长度.
根据边界条件,△p(0)=P1,△p(w)=P2,代入上面的方程,得出A和B的值,再将A和B值代入上式得出稳态载流子分布：
△p(x)= [P1*sh((w-x)/L)+P2*sh(x/L)]/sh(w/L)
该方程定量反映了非平衡载流子的分布仅与空间位置有关（达到稳态时）.这是最一般的情况,考虑两种特殊情况：
(1)w>>L时,在x->0的一端,△p(x)≈P1*sh((w-x)/L)/sh(w/L)≈P1*exp(-x/L)；同理得出在x->W的一端,△p(x)≈P2*exp(-(w-x)/L).这种情况说明在厚度比较大时即远大于载流子扩散长度L时,两端的分布都是指数衰减形式,体内分布极少.
(2)w

有一面积很大的半导体薄片,厚度为w,以稳定光源均匀照射两面,设光只在表面层内产生电子空穴对,在消注入条件下,ΔP(0)= P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子，正电荷和负电均匀磁场的磁感应强度为B,一电子以速率v在垂直于B的平面内作匀速率圆周运动,则其轨道所围面积内的磁通量（）空穴(P)型半导体和电子（N）型半导体中的P、N是什么意思?是否为某个英文单词缩写? 一平面单色光波垂直照射在厚度均匀的薄膜上,薄膜覆盖在玻璃上,光波波长为500cm,薄膜折射率1.30,玻璃折射率1.50 一光滑的内表面半径为10cm的半球形圆碗,以匀角速度w绕其对称轴OC旋转,已知放在碗内表面上的一个小球P相对于碗静止,位一光滑的内表面半径为10cm的半球形碗,以匀角速度w绕其对称轴oc旋转,已知放在碗内表面上的一个小球p相对于碗静止,其位电子电工 PN结为什么电子半导体用N表示,空穴半导体用P表示?是国际统一规定的吗?电子：Electron空穴：Hole 分析原因为TiO2表面的电荷性质将直接影响反应体系中有机物分子在催化剂颗粒表面的吸附以及光生电子和空穴材料力学一内半径为r,厚度为d,宽度为b的薄壁圆环.在圆环的内表面承受均匀分布的压力p,求：1）由于内压力引起的圆环径用功率P0=1W的光源，照射离光源r=3m处的某块金属的薄片．已知光源发出的是波长λ=589nm的单色光，试计算 N型半导体电子的浓度比空穴的浓度高得多,挡在两端加电压时,主要由电子定向流动形成电流?这句话对吗?